アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法

Amorphous ferroelectric oxide material and its production

Abstract

PURPOSE:To provide an amorphous ferroelectric material usable as thin-film capacitor element, ferroelectric memory, electrooptical device, etc., and to provide a process for producing the material. CONSTITUTION:The objective material consists of a ternary oxide having amorphous structure and is composed mainly of a transition metal oxide (M2O3)- bismuth oxide (Bi2O3)-LiNbO3 compound (ABO3), wherein M2O3 is at least one kind of oxide selected from the oxides of Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Hf, Ta, W, In and lanthanoid elements and ABO3 is an LiNbO3- type compound exhibiting ferroelectricity, antiferroelectricity or paraelectricity.
(57)【要約】 【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘 電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質 (アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提 供する。 【構成】 遷移金属酸化物(M 2 O 3 )−酸化ビスマス (Bi 2 O 3 )−LiNbO 3 型化合物(ABO 3 )を 主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物が アモルファス構造を有することを特徴とする。(ただ し、M 2 O 3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、 Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、T a、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群 から選ばれる少なくとも一種であり、ABO 3 は強誘電 性、反強誘電性または常誘電性を示すLiNbO 3 型化 合物である。)

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