単結晶の製造方法及び装置

Production of single crystal and apparatus therefor

Abstract

PURPOSE: To provide a method for producing a single crystal in which problems in mixing of melts in an inner crucible and an outer crucible from a stage of raw material preparation to the initial period of pulling up the crystal in a double crucible method and various single crystals such as an oxide single crystal, e.g. LiNbO 3 or Y 3 Al 5 O 12 or further a semiconductor single crystal, e.g. Si or GaAs can be pulled up while carrying out the composition control of the melts and its apparatus. CONSTITUTION: In a double crucible 1, the liquid level of a raw material melt (L 0 ) held in an outer crucible 2 is set so as to locate at a lower position than an outside opening (8a) of a flow pipe 6 by ΔH 1 in melting a raw material. Thereby, the raw material melt (L 0 ) in the outer crucible 2 and the raw material melt (L 1 ) for carrying out the preparation of a crystal in the inner crucible 4 are prevented from mixing through the flow pipe 6. Furthermore, when operation to pull up the crystal is started, the outside opening (8a) of the flow pipe 6 is set so as to locate at a lower position than the liquid level of the raw material melt (L 0 ) in the outer crucible 2 by ΔH 2 in starting or during the pulling up of the crystal. COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio
(57)【要約】 【目的】 二重坩堝法において原料準備段階から結晶引 き上げ初期における内坩堝と外坩堝の融液の混合の問題 を解決し、融液の組成制御を行ないながら、LiNbO 3 、Y 3 Al 5 O 12 等の酸化物単結晶、更にはSi、G aAs等の半導体結晶のような種々の単結晶の引き上げ が可能な単結晶の製造方法及び装置を提供する。 【構成】 二重坩堝1にて、原料の融解時には、外坩堝 2内に保持される原料融液L O の液面は、流通管6の外 側開口部8aより△H 1 だけ低く位置するように設定さ れ、それによって、外坩堝2の原料融液L O と、内坩堝 4の結晶作成を行なう原料融液L I とが流通管6を介し て混合するのが阻止される。又、結晶引き上げ作業が開 始されると、この結晶引き上げ開始時に、或は結晶引き 上げ途中から、流通管6の外側開口部8aが外坩堝2内 の原料融液L O の液面より△H 2 だけ下に位置するよう にする。

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    CN-1329559-CAugust 01, 2007山东大学, 中电科技德清华莹电子有限公司一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法